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CY7C1512-20VC

更新时间: 2024-02-26 23:35:57
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 300K
描述
x8 SRAM

CY7C1512-20VC 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSOP1-32
针数:32Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.86最长访问时间:20 ns
其他特性:AUTOMATIC POWER DOWNI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:524288 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:TSSOP32,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:4.5 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.13 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

CY7C1512-20VC 数据手册

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