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CY7C1412BV18-167BZXI

更新时间： 2024-11-30 20:18:23

品牌	Logo	应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
26页	1761K
描述
2MX18 QDR SRAM, 0.5ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165

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CY7C1412BV18-167BZXI 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165	针数：	165
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
最长访问时间：	0.5 ns	其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE
JESD-30 代码：	R-PBGA-B165	JESD-609代码：	e1
长度：	17 mm	内存密度：	37748736 bit
内存集成电路类型：	QDR SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端子数量：	165	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	2MX18	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	COMMERCIAL
座面最大高度：	1.4 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	宽度：	15 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...26

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C1412BV18-200BZC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-200BZI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-200BZXC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-200BZXC	ROCHESTER	获取价格	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
CY7C1412BV18-200BZXI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-250BZC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-250BZI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-250BZXC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1412BV18-250BZXC	ROCHESTER	获取价格	2MX18 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
CY7C1412BV18-250BZXI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture