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CY7C141-35LC

更新时间： 2024-12-01 20:26:43

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赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
13页	889K
描述
Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, CQCC52, CERAMIC, LCC-52

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CY7C141-35LC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CERAMIC, LCC-52
针数：	52	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.85	最长访问时间：	35 ns
其他特性：	AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	S-CQCC-N52	JESD-609代码：	e0
长度：	19.05 mm	内存密度：	8192 bit
内存集成电路类型：	MULTI-PORT SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	2
端子数量：	52	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装等效代码：	LCC52,.75SQ
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	2.54 mm
最大待机电流：	0.015 A	最小待机电流：	4.5 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
宽度：	19.05 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CY7C141-35NC	CYPRESS	获取价格	1K x 8 Dual-Port Static Ram
CY7C141-35NI	CYPRESS	获取价格	1K x 8 Dual-Port Static Ram
CY7C1413AV18	CYPRESS	获取价格	RAM9 QDR-I/DDR-I/QDR-II/DDR- II Errata
CY7C1413AV18-167BZC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-167BZI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-167BZXC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-167BZXI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-200BZC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-200BZI	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur
CY7C1413AV18-200BZXC	CYPRESS	获取价格	36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architectur