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CY7C1386DV25-250BGXC

更新时间： 2024-02-16 05:32:46
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 536K
描述
Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

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CY7C1386DV25-250BGXC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：BGA, BGA119,7X17,50针数：119
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：2.6 ns其他特性：PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)：250 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PBGA-B119JESD-609代码：e1
长度：22 mm内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：CACHE SRAM内存宽度：36
湿度敏感等级：3功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX36输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：2.5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.4 mm
最大待机电流：0.07 A最小待机电流：2.38 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.35 mA
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：1.27 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：14 mm

CY7C1386DV25-250BGXC 数据手册

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CY7C1386DV25  
CY7C1387DV25  
Pin Configurations (continued)  
165-Ball FBGA Pinout (3 Chip Enable)  
CY7C1386DV25 (512K x 36)  
1
2
A
3
4
5
6
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8
9
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A
11  
NC  
NC/288M  
NC/144M  
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A
CE2  
A
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DQC  
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M
N
P
NC/72M  
TDI  
A1  
TDO  
A0  
MODE NC/36M  
A
A
TMS  
TCK  
A
A
A
A
R
CY7C1387DV25 (1M x 18)  
1
2
A
3
4
5
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6
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8
9
10  
A
11  
A
NC/288M  
NC/144M  
NC  
A
B
C
D
BWB  
NC  
CE3  
CLK  
VSS  
VSS  
CE1  
CE2  
BWE  
GW  
VSS  
VSS  
ADSC  
OE  
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A
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VSS  
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A
NC/576M  
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NC  
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VSS  
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NC/1G  
NC  
NC  
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A
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VDD  
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A
NC  
NC  
A
M
N
P
NC/72M  
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A1  
A0  
TDO  
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A
A
TMS  
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A
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A
R
Document #: 38-05548 Rev. *D  
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CY7C1386DV25-250BGXI CYPRESS Cache SRAM, 512KX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, BGA-119

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CY7C1386DV25-250BZC CYPRESS 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

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CY7C1386DV25-250BZI CYPRESS 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined DCD Sync SRAM

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