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CY7C1079DV33-12BAXI

更新时间： 2024-12-01 09:43:35

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赛普拉斯 - CYPRESS		/
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描述
32-Mbit (4 M x 8) Static RAM TTL Compatible Inputs and Outputs

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CY7C1079DV33-12BAXI 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,30	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.B	HTS代码：	8542.32.00.41
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	2.33
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	长度：	9.5 mm
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA48,6X8,30	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.05 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1079DV33-12BAXI 数据手册

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CY7C1079DV33

32-Mbit (4 M × 8) Static RAM

32-Mbit (4

M × 8) Static RAM

Features

Functional Description

■ High Speed

❐ t_AA= 12 ns

The CY7C1079DV33 is a high performance CMOS Static RAM

organized as 4,194,304 words by 8 bits.

To write to the device, take Chip Enable (CE^[1]) and Write Enable

(WE) input LOW. Data on the eight I/O pins (I/O₀through I/O₇)

is then written into the location specified on the address pins (A₀

through A₂₁).

To read from the device, take Chip Enable (CE ^[1]) LOW and

Output Enable (OE) LOW while forcing the Write Enable (WE)

HIGH. Under these conditions, the contents of the memory

location specified by the address pins appear on the I/O pins.

See Truth Table (Single Chip Enable) on page 9 for a complete

description of Read and Write modes.

■ Low Active Power

❐ I_CC= 250 mA at 12 ns

■ Low CMOS Standby Power

❐ I_SB2= 50 mA

■ Operating Voltages of 3.3 ± 0.3 V

■ 2.0 V Data Retention

■ Automatic Power Down when Deselected

■ TTL Compatible Inputs and Outputs

■ Available in Pb-free 48-ball FBGA Package

The input and output pins (I/O₀through I/O₇) are placed in a high

impedance state when the device is deselected (CE ^[1]HIGH),

the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write operation

(CE ^[1]LOW and WE LOW).

The CY7C1079DV33 is available in a 48-ball FBGA package.

Logic Block Diagram

INPUT BUFFER

A₀

A₁

A₂

A₃

IO₀– IO₇

4M x 8

A₄

ARRAY

A₅

A₆

A₇

A₈

A₉

COLUMN

DECODER

[1]

Note

1. BGA packaged device is offered in single CE and dual CE options. In this data sheet, for a dual CE device, CE refers to the internal logical combination of CE and

CE such that when CE is LOW and CE is HIGH, CE is LOW. For all other cases CE is HIGH.

Cypress Semiconductor Corporation

Document Number: 001-50282 Rev. *D

•

198 Champion Court

•

San Jose, CA 95134-1709

•

408-943-2600

Revised April 27, 2011

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CY7C1079DV33-12BAXIT	INFINEON	获取价格	Asynchronous SRAM
CY7C107A-12PC	ETC	获取价格	x1 SRAM
CY7C107A-12VC	ETC	获取价格	x1 SRAM
CY7C107A-12VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX1, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C107A-12VCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX1, 12ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C107A-15DMB	ETC	获取价格	x1 SRAM
CY7C107A-15PC	ETC	获取价格	x1 SRAM
CY7C107A-15VC	ETC	获取价格	x1 SRAM
CY7C107A-15VCR	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
CY7C107A-15VCT	CYPRESS	获取价格	Standard SRAM, 1MX1, 15ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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