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CY7C1041B-15VCT

更新时间： 2024-01-13 06:19:38

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赛普拉斯 - CYPRESS		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	253K
描述
Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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CY7C1041B-15VCT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.09
最长访问时间：	15 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e3/e4	长度：	18.415 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	MATTE TIN/NICKEL PALLADIUM GOLD	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1041B

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 1 (CE Controlled)^{[15, 16]}

ADDRESS

SCE

PWE

BHE, BLE

DATAI/O

Write Cycle No. 2 (BLE or BHE Controlled)

ADDRESS

BHE, BLE

PWE

SCE

DATAI/O

Notes:

15. Data I/O is high impedance if OE or BHE and/or BLE= V

16. If CE goes HIGH simultaneously with WE going HIGH, the output remains in a high-impedance state.

Document #: 38-05142 Rev. *A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CY7C1041B-15VI	CYPRESS	256K x 16 Static RAM	获取价格
CY7C1041B-15VXC	CYPRESS	256K x 16 Static RAM	获取价格
CY7C1041B-15VXCT	CYPRESS	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-44	获取价格
CY7C1041B-15VXI	CYPRESS	256K x 16 Static RAM	获取价格
CY7C1041B-15VXIT	CYPRESS	Standard SRAM, 256KX16, 15ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, SOJ-44	获取价格
CY7C1041B-15ZC	CYPRESS	256K x 16 Static RAM	获取价格