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CY7C1019BN-12ZCT

更新时间： 2024-01-31 03:35:00

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	417K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, TSOP2-32

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CY7C1019BN-12ZCT 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2,	针数：	32
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.34
最长访问时间：	12 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.95 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

CY7C1019BN-12ZCT 数据手册

CY7C1019BN

Switching Waveforms (continued)

Write Cycle No. 3 (WE Controlled, OE LOW)^[13]

ADDRESS

SCE

PWE

NOTE 14

DATA I/O

DATA VALID

LZWE

HZWE

Truth Table

I/O₀–I/O₇

Mode

Power

High Z

Power-Down

Read

Standby (I_SB)

Data Out

Data In

High Z

Active (I_CC

)

Write

Selected, Outputs Disabled

Ordering Information

Speed

(ns)

Package

Diagram

Operating

Range

Ordering Code

CY7C1019BN-12VC

Package Type

51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ

51-85095 32-Lead TSOP Type II

Commercial

CY7C1019BN-12ZC

CY7C1019BN-12ZXC

CY7C1019BN-15VC

CY7C1019BN-15ZXC

51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)

51-85033 32-Lead 400-Mil Molded SOJ

51-85095 32-Lead TSOP Type II (Pb-free)

Commercial

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Document #: 001-06425 Rev. **

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