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CY62127DV18LL-55BVI

更新时间: 2024-02-06 10:25:57
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
13页 217K
描述
1M (64K x 16) Static RAM

CY62127DV18LL-55BVI 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2-44针数:44
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.83
最长访问时间:55 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G44JESD-609代码:e0
长度:18.415 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:3功能数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):240电源:1.8 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.194 mm
最小待机电流:1 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.005 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.65 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:30
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

CY62127DV18LL-55BVI 数据手册

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CY62127DV18  
MoBL2®  
ADVANCE  
INFORMATION  
Document History Page  
Document Title: CY62127DV18 MoBL2® 1M (64K x 16) Static RAM  
Document Number: 38-05226  
Issue  
Date  
Orig. of  
Change  
REV.  
ECN NO.  
Description of Change  
**  
118006  
10/01/02  
CDY  
New Data Sheet  
Document #: 38-05226 Rev. **  
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