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Datasheet > 存储 > EPROM> CY27C256-120JC
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CY27C256-120JC

更新时间： 2024-01-27 02:46:21
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 可编程只读存储器电动程控只读存储器
页数 文件大小 规格书
11页 264K
描述
32K x 8-Bit CMOS EPROM

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CY27C256-120JC 数据手册

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CY27C256  
AC Test Loads and Waveforms  
R1 250Ω (329Ω MIL)  
ALL INPUT PULSES  
90%  
10%  
5V  
OUTPUT  
R1 250Ω (329Ω MIL)  
3.0V  
GND  
5V  
90%  
10%  
OUTPUT  
R2 167Ω  
(202Ω MIL)  
5 pF  
R2 167Ω  
(202Ω MIL)  
30 pF  
5 ns  
≤
5 ns  
≤
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
INCLUDING  
JIG AND  
SCOPE  
27c256–6  
27c256–7  
(b) HighZ Load  
(a) NormalLoad  
Equivalent to:  
THÉVENIN EQUIVALENT  
125Ω  
100Ω  
OUTPUT  
[4,7 ]  
2.00V  
OUTPUT  
1.9V  
Commercial  
Military  
Switching Characteristics Over the Operating Range  
27C256-45  
27C256-55  
27C256-70  
27C256-90  
Parameter  
Description  
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Unit  
tAA  
Address to Output Valid  
45  
15  
15  
20  
45  
55  
20  
20  
25  
55  
70  
25  
25  
25  
70  
90  
25  
30  
25  
90  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
t
t
t
t
t
t
t
Outpout Enable Inactive to High Z  
Output Enable Active to Output Valid  
Chip Enable Inactive to High Z  
Chip Enable Active to Output Valid  
Chip Enable Active to Power Up  
Chip Enable Inactive to Power Down  
Output Hold from Address Change  
HZOE  
OE  
HZCE  
ACE  
PU  
0
0
0
0
0
0
0
0
45  
55  
70  
90  
PD  
OH  
[4, 7]  
Switching Characteristics Over the Operating Range  
27C256-120  
27C256-150  
27C256-200  
Parameter  
tAA  
Description  
Address to Output Valid  
Min.  
Max.  
120  
30  
Min.  
Max.  
Min.  
Max.  
200  
30  
Unit  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
150  
30  
t
t
t
t
t
t
t
Outpout Enable Inactive to High Z  
Output Enable Active to Output Valid  
Chip Enable Inactive to High Z  
HZOE  
OE  
30  
40  
40  
30  
30  
30  
HZCE  
ACE  
PU  
Chip Enable Active to Output Valid  
Chip Enable Active to Power Up  
Chip Enable Inactive to Power Down  
Output Hold from Address Change  
120  
150  
200  
0
0
0
0
0
0
120  
150  
200  
PD  
OH  
4
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