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CY10E494-8KC

更新时间: 2024-01-30 06:13:11
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其他 - ETC 内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
6页 168K
描述
x4 SRAM

CY10E494-8KC 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DFP包装说明:CERPACK-28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:8 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-GDFP-F28JESD-609代码:e0
长度:17.4244 mm内存密度:65536 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:4
负电源额定电压:-5.2 V功能数量:1
端口数量:1端子数量:28
字数:16384 words字数代码:16000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:75 °C
最低工作温度:组织:16KX4
输出特性:OPEN-EMITTER可输出:NO
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DFP
封装等效代码:FL28,.4封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLATPACK并行/串行:PARALLEL
电源:-5.2 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:2.286 mm子类别:SRAMs
最大压摆率:0.18 mA表面贴装:YES
技术:ECL温度等级:COMMERCIAL EXTENDED
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:FLAT
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:9.7155 mmBase Number Matches:1

CY10E494-8KC 数据手册

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