Datasheet > 存储 > SRAM> CXK582000YM-85LL

CXK582000YM-85LL

更新时间： 2024-11-19 22:08:39

品牌	Logo	应用领域
索尼 - SONY		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	207K
描述
262144-word X 8-bit High Speed CMOS Static RAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CXK582000YM-85LL 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1-R, TSSOP32,.8,20
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	85 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G32	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX8	输出特性：	3-STATE
可输出：	YES	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1-R	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.00004 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

CXK582000YM-85LL 数据手册

CXK582000TM/YM/M-85LL/10LL

Preliminary

262144-word × 8-bit High Speed CMOS Static RAM

For the availability of this product, please contact the sales office.

Description

CXK582000TM

CXK582000YM

The CXK582000TM/YM/M is a high speed CMOS

static RAM organized as 262144-words by 8 bits.

32 pin TSOP (PIastic)

polysilicon TFT cell technology realized

extremely low stand-by current and higher data

retention stability.

Special feature are low power consumption and

high speed and board package line-up.

The CXK582000TM/YM/M is a suitable RAM for

portable equipment with battery back up.

CXK582000M

32 pin SOP (PIastic)

Features

• Fast access time

-85LL

(Access time)

85ns (Max.)

100ns (Max.)

40µA (Max.)

24µA (Max.)

-10LL

• Low standby current

• Low data retention current

• Single +5V supply: 4.5V to 5.5V.

• Low voltage date retention : 2.0V (Min.)

• Broad package line-up

Block Diagram

CXK582000TM/YM

8mm × 20mm 32 pin

A10

A11

TSOP Package

525mil 32 pin

SOP Package

CXK582000M

VCC

Memory

Matrix

2048 × 1024

A13

Row

Decoder

Buffer

A15

A17

A16

A14

A12

GND

Function

262144 word x 8 bit static RAM

Structure

I /O Gate

Column

Decoder

Silicon gate CMOS IC

Buffer

I /O Buffer

CE1

CE2

I/O1

I/O8

Sony reserves the right to change products and specifications without prior notice. This information does not convey any license by

any implication or otherwise under any patents or other right. Application circuits shown, if any, are typical examples illustrating the

operation of the devices. Sony cannot assume responsibility for any problems arising out of the use of these circuits.

– 1 –

E94234-ST

12 3 4 5 6 7...11

中文翻译

下载PDF

与CXK582000YM-85LL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CXK58255AJ-25	ETC	获取价格	x8 SRAM
CXK58255AJ-30	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 30ns, CMOS, PDSO28
CXK58255AP-25	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28
CXK58255AP-30	ETC	获取价格	x8 SRAM
CXK58255P-45	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
CXK58255P-45L	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 45ns, CMOS, PDIP28
CXK58255P-55	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
CXK58255P-55L	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28
CXK58255P-70	SONY	获取价格	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDIP28
CXK58255P-70L	ETC	获取价格	x8 SRAM

与CXK582000YM-85LL相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CXK582000YM-85LL

CXK582000YM-85LL 技术参数

CXK582000YM-85LL 数据手册

与CXK582000YM-85LL相关器件

与CXK582000YM-85LL相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CXK582000YM-85LL

CXK582000YM-85LL 技术参数

CXK582000YM-85LL 数据手册

与CXK582000YM-85LL相关器件

与CXK582000YM-85LL相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？