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CXK58255AP-25

更新时间: 2024-11-20 19:57:39
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 503K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 25ns, CMOS, PDIP28

CXK58255AP-25 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP28,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.6Is Samacsys:N
最长访问时间:25 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8端子数量:28
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:32KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP28,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00005 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

CXK58255AP-25 数据手册

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