是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | DIP, DIP32,.6 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.88 |
最长访问时间: | 150 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 40.2 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -25 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5 mm | 最小待机电流: | 2.2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.06 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
CXK581000P-15LX | SONY |
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Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
CXK581001M-70LTL | SONY |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
CXK581001M-85LL | SONY |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
CXK581001P/M-70L/85L/70LL/85LL | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK581001P-85L | SONY |
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Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | |
CXK581020AJ | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK581020AJ-20 | ETC |
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x8 SRAM | |
CXK581020AJ-25 | ETC |
获取价格 |
x8 SRAM | |
CXK581020J-35 | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 | |
CXK581020J-45 | SONY |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32 |