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CXG1118ER

更新时间： 2024-02-03 04:06:20

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13页	520K
描述
Dual-band Low Noise Amplifier/Mixer

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CXG1118ER 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	VQCCN,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.84	JESD-30 代码：	S-PQCC-N24
JESD-609代码：	e6/e4	长度：	4 mm
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-35 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	标称供电电压：	2.7 V
表面贴装：	YES	电信集成电路类型：	RF AND BASEBAND CIRCUIT
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN BISMUTH/PALLADIUM
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	4 mm	Base Number Matches：	1

CXG1118ER 数据手册

CXG1118ER

Recommended Evaluation Circuit

GPS LNAIN

CDMA LNAIN

L16

L17

CDMA LNAOUT

L11

L14

GPS LNAOUT

L13

L15

L18

L19

C11

L12

12 11 10

C10

VDD (LNA)

CTL2

CTL1

CDMA MIXIN

L10

L20

GPS MIXIN

L21

×2

L22

L23

CTL3

GPS IFOUT

19 20 21 22 23 24

C13

C14

C12

LOIN

VDD (MIX)

CDMA IFOUT

VDD (Logic)

(LO AMP)

220nH

27nH

5.6nH

6.8nH

33nH

12nH

27nH

18nH

22nH

27nH

2.2nH

22nH

5.6nH

L16

L17

L18

L19

L20

L21

L22

L23

3.3nH

100pF

8.2nH

6.8nH

3.9nH

10nH

2.7nH

18pF

C10

C11

C12

C13

C14

100pF

1000pF

8pF

1000pF

100Ω

33nH

—

220nH

8pF

∗¹

∗

L10

L11

L12

L13

L14

L15

1000pF

100pF

1000pF

∗¹

L and R of Pin 9 are used when the optional resistor is added in the low noise amplifier block.

– 4 –

1 2 345 6 7...13

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与CXG1118ER相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CXG1120EN	ETC	Low Noise Amplifier with Bypass Switch/Mixer	获取价格
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