Datasheet > CXG1115AER

CXG1115AER

更新时间： 2024-01-19 07:25:57

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		放大器
页数	文件大小	规格书
13页	526K
描述
Dual-band Low Noise Amplifier/Mixer

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CXG1115AER 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QFN
包装说明：	HVQCCN,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.77	JESD-30 代码：	S-PQCC-N24
JESD-609代码：	e6/e4	长度：	4 mm
功能数量：	1	端子数量：	24
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-35 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HVQCCN
封装形状：	SQUARE	封装形式：	CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	标称供电电压：	2.7 V
表面贴装：	YES	电信集成电路类型：	RF AND BASEBAND CIRCUIT
温度等级：	OTHER	端子面层：	TIN BISMUTH/PALLADIUM
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	0.4 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
宽度：	4 mm	Base Number Matches：	1

CXG1115AER 数据手册

CXG1115AER

Recommended Evaluation Board

Front

50mm

DD (LO AMP)

CTL2 GND

VDD (LNA) VDD (Logic)

CTL3

CTL1

VDD (MIX)

GND

CDMA LNA RFIN

CDMA LNA RFOUT

CDMA MIX RFIN

GPS LNA RFIN

GPS LNA RFOUT

GPS MIX RFIN

LOIN

CDMA MIX IFOUT

GPS MIX IFOUT

Glass fabric-base 4-layer epoxy board (thickness: 0.2mm × 2)

GND for the whole 2nd and 3rd layers

Enlarged Diagram of Center Part

L16

L11

L17

L15

L14

L13

C10

L18 L19

L12

C11

L20

L21

C12

L10

L22

L6 L5

L23

C13

C14

The IC mounted pattern on the back side is electrically in the open state.

– 12 –

1...9 10 111213

中文翻译

下载PDF

与CXG1115AER相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
CXG1115ER	ETC	Wideband Multifunction Reception System GaAs MMIC Completely Covers GPS and CDMA	获取价格
CXG1117K	SONY	Power Amplifier Module for JCDMA	获取价格
CXG1118ER	ETC	Dual-band Low Noise Amplifier/Mixer	获取价格
CXG1120EN	ETC	Low Noise Amplifier with Bypass Switch/Mixer	获取价格
CXG1121TN	SONY	SP4T GSM/GPRS Dual-Band Antenna Switch + Logic	获取价格
CXG1121TN-T2	SONY	SP4T, 880MHz Min, 915MHz Max, 0.9dB Insertion Loss-Max, PLASTIC, TSSOP-16	获取价格