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CXG1109EN

更新时间: 2024-02-01 17:59:01
品牌 Logo 应用领域
索尼 - SONY 射频和微波射频上变频器射频下变频器微波上变频器微波下变频器放大器ISM频段
页数 文件大小 规格书
9页 128K
描述
Receive Dual Low Noise Amplifier/Mixer

CXG1109EN 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
特性阻抗:50 Ω构造:COMPONENT
下变频增益-最小值:8.5 dBJESD-609代码:e6/e4
LO 可调谐:YES最大噪声指数:2 dB
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-35 °C
射频/微波设备类型:DOWN CONVERTER端子面层:TIN BISMUTH/PALLADIUM
Base Number Matches:1

CXG1109EN 数据手册

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CXG1109EN  
Mixer Block  
Gc, NF vs. fRF  
12  
11  
10  
9
7
6
5
4
3
Gc  
V
DD = 3V  
8
7
6
f
LO = fRF 130MHz  
P
LO = 12.5dBm  
NF  
5
4
810 820 830 840 850 860 870 880  
800  
890 900  
f
RF RF frequency [MHz]  
P
OUT, IM3 vs. PIN  
POUT, IM3 vs. PIN  
20  
10  
20  
10  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
P
OUT  
P
OUT  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
IM3  
IM3  
V
DD = 3V  
V
DD = 3V  
f
f
f
RF1 = 810MHz  
RF2 = 810.1MHz  
LO = 680MHz  
f
f
f
RF1 = 885MHz  
RF2 = 885.1MHz  
LO = 755MHz  
5
3025201510 5  
0
10  
3025201510 5  
4035  
0
5 10  
4035  
P
IN RF input power [dBm]  
PIN RF input power [dBm]  
5 –  

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