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CVD93-TO18C

更新时间： 2024-11-21 06:51:11
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泰科 - TE 二极管激光二极管脉冲
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High Power Pulsed Laser Diodes

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CVD93-TO18C 数据手册

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M/A-Com Technology Solutions  
4 Olsen Avenue  
Edison, NJ 08820 USA  
Voice : (732) 549-9001  
Fax: (732) 549-1559  
Internet: www.laserdiode.com  
Email: sales@laserdiode.com  
Laser Diode Incorporated  
High Power Pulsed Laser Diodes  
High Efficiency / High Reliability  
Stable output from -40oC to +85oC  
Single and stacked devices up to  
140Watts  
850nm and 905nm wavelengths  
Hermetic package  
Applications:  
¾ Rangefinding / Ceilometers  
¾ Weapons simulation  
¾ Optical fuses  
¾ Surveying equipment  
CVD Series Characteristics @ 25oC  
Parameter  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
nm  
Peak Wavelength  
CVD 60 / 160 Series  
CVD 90 / 190 Series  
Spectral Width  
λ
895  
840  
905  
850  
915  
860  
12  
nm  
nm  
Δλ  
Tr  
5.0  
nm  
Rise Time - Lasers  
Pulse Width = 50% pts  
Beam Spread  
1
ns  
Tpw  
FWHM  
Ts  
100  
200  
ns  
10 x 35  
degrees  
oC  
oC  
Storage Temperature  
Operating Temperature  
-55  
-40  
+85  
+85  
To  
CVD 905nm Series Test Conditions: 100ns, 1Khz, 25oC  
CVD 46  
CVD 60  
CVD 62  
CVD 65  
13  
CVD 68  
22  
CVD 163 CVD 167  
Units  
Parameters  
Peak Power  
3
1
4
1
8
1
35  
3
100  
5
Watts  
Number of Diodes  
Emitting Area Typical  
Peak lf  
1
1
62 x 2  
4
76 x 2  
5
152 x 2  
10  
254 x 2  
15  
381 x 2  
25  
254 x 203  
15  
381 x 406  
25  
um  
Amps  
%
Duty Factor (max)1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.08  
0.04  
CVD 850nm Series Test Conditions: 100ns, 1Khz, 25oC  
CVD 90  
CVD 93  
10  
CVD 95  
15  
CVD 97  
25  
CVD 193 CVD 195 CVD 197  
Units  
Parameters  
Peak Power  
5
1
40  
3
60  
3
100  
5
Watts  
Number of Diodes  
Emitting Area Typical  
Peak lf  
1
1
1
76 x 2  
7
152 x 2  
14  
254 x 2  
20  
381 x 2  
30  
254 x 203  
20  
381 x 203  
30  
381 x 406  
30  
um  
Amps  
%
Duty Factor (max)1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.1  
0.08  
0.04  
0.04  
Note: 1 Heat sinking required  
LDI Document #10-4400-0018 Rev. D 1/16/09  
12

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