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CTS05S40,L3F(T

更新时间： 2024-12-01 20:11:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 154K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 40V V(RRM), Silicon

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CTS05S40,L3F(T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-XBCC-N2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-XBCC-N2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：40 V
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

CTS05S40,L3F(T 数据手册

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CTS05S40  
Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial  
CTS05S40  
1. Applications  
•
High-Speed Switching  
2. Packaging and Internal Circuit  
1: Cathode  
2: Anode  
CST2  
3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 )  
Characteristics  
Symbol  
Note  
Rating  
Unit  
V
Peak reverse voltage  
Reverse voltage  
VRM  
VR  
40  
30  
0.5  
Average rectified current  
Non-repetitive peak forward surge current  
Junction temperature  
IO  
(Note 1)  
(Note 2)  
A
IFSM  
Tj  
2
125  
Storage temperature  
Tstg  
-55 to 125  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Mounted on an FR4 board.  
(25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mm, Cu Pad: 645 mm2)  
Note 2: Measured with a 10 ms pulse.  
Start of commercial production  
2013-06  
2014-04-04  
Rev.3.0  
1
12345

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