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CT25ASJ-8-T1

更新时间: 2024-11-24 21:17:39
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 59K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 400V V(BR)CES, N-Channel, MP-3, 3 PIN

CT25ASJ-8-T1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.73
外壳连接:COLLECTOR集电极-发射极最大电压:400 V
配置:SINGLEJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

CT25ASJ-8-T1 数据手册

 浏览型号CT25ASJ-8-T1的Datasheet PDF文件第2页 

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