CSL13003

更新时间： 2024-10-30 06:49:35

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
页数	文件大小	规格书
5页	512K
描述
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL,HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CSL13003 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-92
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1.5 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	4
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

CSL13003 数据手册

CSL13003

TO-92 PLASTIC PACKAGE

NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL,HIGH SPEED,

HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR

Applications

Suitable for Lighting, Switching Regulator and Motor Control

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

VALUE

600

UNIT

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Collector Base Voltage

Collector Emitter (sus) Voltage

Emitter Base Voltage

400

9.0

1.5

Collector Current Continuous

**I_CM

P_C

3.0

1.1

8.8

2.0

Peak

Power Dissipation @ T_a=25ºC

Derate Above 25ºC

Power Dissipation @ T_Lead=25ºC

mW/ ºC

P_D

mW/ ºC

Derate Above 25ºC

Operating And Storage Junction Temperature

Range

T_j,T_stg

- 65 to +150

ºC

THERMAL RESISTANCE

Junction to Case, T_c=25ºC

R_{th (j-c)}

R_{th (j-L)}

R_{th (j-a)}

48.0

62.5

ºC/W

Junction to Lead

113.6

Junction to Ambient in free air

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

V_CBO

*V_{CEO (sus)}

I_CBO

TEST CONDITION

MIN TYP MAX

UNIT

I_C=1mA, I_E=0

I_C=10mA, I_B=0

V_CB=600V_,I_E=0

Collector Base Voltage

Collector Emitter (sus) Voltage

Collector Cut Off Current

600

400

1.0

5.0

1.0

V_CB=600V_,I_E=0, T_c=100ºC

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.3A, V_CE=2V (Note1)

I_C=0.5A, V_CE=2V

I_EBO

*h_FE

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

8.0

4.0

I_C=1A, V_CE=2V

*V_{CE (sat)}

I_C=0.5A, I_B=0.1A

I_C=1A, I_B=0.25A

I_C=1.5A, I_B=0.5A

Collector Emitter Saturation Voltage

0.5

1.0

3.0

1.0

1.2

1.1

I_C=1A, I_B=0.25A,T_c=100ºC

I_C=0.5A, I_B=0.1A

I_C=1A, I_B=0.25A

I_C=1A, I_B=0.25A,T_c=100ºC

*V_{BE (sat)}

Base Emitter Saturation Voltage

* Pulse Test: PW=300ms, Duty Cycle=2%

** Pulse Test: Pulse Width=5ms, Duty Cycle=10%

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与CSL13003相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CSL13003A	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
CSL13003B	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
CSL13003C	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
CSL13003E	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
CSL13003F	CDIL	获取价格	NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL, HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
CSL-14033P	MACOM	获取价格	CSL A4 Laser printable self-laminating labels
CSL-14033P4	TE	获取价格	tyco electronics contents
CSL-14033P9	TE	获取价格	tyco electronics contents
CSL1501R3T	ROHM	获取价格	The CSL1501R3T is the infrared LED with a wavelength of 940nm.
CSL1501RT	ROHM	获取价格	The CSL1501RT is the Near Infrared with a wavelength of 860nm. It is a 1006 (0402) size ul

与CSL13003相关文章

三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

18
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

20
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
2024-10-18

45
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
2024-10-15

52

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSL13003

CSL13003 技术参数

CSL13003 数据手册

与CSL13003相关器件

与CSL13003相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CSL13003

CSL13003 技术参数

CSL13003 数据手册

与CSL13003相关器件

与CSL13003相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？