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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CSB834
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CSB834

更新时间： 2024-09-21 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 212K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTOR

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CSB834 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.24
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：9 MHzBase Number Matches：1

CSB834 数据手册

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Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
PNP SILICON POWER TRANSISTOR  
CSB834  
TO-220  
Audio Frequency Power Amplifier Applications.  
Complementary CSD880  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
60  
60  
7.0  
3.0  
Base Current  
IB  
0.5  
A
Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
PC  
1.5  
30  
150  
-55 to +150  
W
W
deg C  
deg C  
Tj  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
VCEO  
hFE  
TEST CONDITION  
VCB=60V, IE=0  
VEB=7V, IC=0  
IC=50mA, IB=0  
IC=0.5A, VCE=5V  
IC=3A, VCE=5V  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=0.5A, VCE=5V  
MIN  
-
-
60  
60  
20  
-
TYP MAX  
UNIT  
uA  
uA  
Collector Cut off Current  
Emitter Cut off Current  
Collector Emitter Voltage  
DC Current Gain  
-
-
-
-
-
-
-
100  
100  
-
200  
-
V
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
VCE(Sat)  
VBE(on)  
1.0  
1.0  
V
V
-
Dynamic Characteristics  
Transition Frequency  
Collector Output Capacitance  
ft  
Cob  
VCE=5V,IC=0.5A,  
VCB=10V, IE=0  
f=1MHz  
-
-
9.0  
150  
-
-
MHz  
pF  
Switching Time  
Turn-0n Time  
Storage Time  
Fall Time  
ton  
tstg  
tf  
VCC=30V,  
-
-
-
0.4  
1.7  
0.5  
-
-
-
us  
us  
us  
IB1=IB2=0.2A,  
Pulse Width=20us  
Duty Cycle=1%  
Y : 100 -200  
hFE CLASSIFICATION:-  
O : 60 -120,  
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

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