5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> CSB834Y
CSB834Y PDF预览

CSB834Y

更新时间： 2024-09-21 03:26:59
品牌 Logo 应用领域
CDIL 晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 212K
描述
PNP SILICON POWER TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

CSB834Y 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Contact Manufacturer零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.24
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：30 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：9 MHz
Base Number Matches：1

CSB834Y 数据手册

 浏览型号CSB834Y的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CSB834Y的Datasheet PDF文件第3页 
Continental Device India Limited  
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company  
PNP SILICON POWER TRANSISTOR  
CSB834  
TO-220  
Audio Frequency Power Amplifier Applications.  
Complementary CSD880  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
A
Collector -Base Voltage  
Collector -Emitter Voltage  
Emitter- Base Voltage  
Collector Current  
60  
60  
7.0  
3.0  
Base Current  
IB  
0.5  
A
Power Dissipation @ Ta=25 deg C  
Power Dissipation @ Tc=25 deg C  
Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
PC  
1.5  
30  
150  
-55 to +150  
W
W
deg C  
deg C  
Tj  
Tstg  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
ICBO  
IEBO  
VCEO  
hFE  
TEST CONDITION  
VCB=60V, IE=0  
VEB=7V, IC=0  
IC=50mA, IB=0  
IC=0.5A, VCE=5V  
IC=3A, VCE=5V  
IC=3A, IB=0.3A  
IC=0.5A, VCE=5V  
MIN  
-
-
60  
60  
20  
-
TYP MAX  
UNIT  
uA  
uA  
Collector Cut off Current  
Emitter Cut off Current  
Collector Emitter Voltage  
DC Current Gain  
-
-
-
-
-
-
-
100  
100  
-
200  
-
V
Collector Emitter Saturation Voltage  
Base Emitter on Voltage  
VCE(Sat)  
VBE(on)  
1.0  
1.0  
V
V
-
Dynamic Characteristics  
Transition Frequency  
Collector Output Capacitance  
ft  
Cob  
VCE=5V,IC=0.5A,  
VCB=10V, IE=0  
f=1MHz  
-
-
9.0  
150  
-
-
MHz  
pF  
Switching Time  
Turn-0n Time  
Storage Time  
Fall Time  
ton  
tstg  
tf  
VCC=30V,  
-
-
-
0.4  
1.7  
0.5  
-
-
-
us  
us  
us  
IB1=IB2=0.2A,  
Pulse Width=20us  
Duty Cycle=1%  
Y : 100 -200  
hFE CLASSIFICATION:-  
O : 60 -120,  
Continental Device India Limited  
Page 1 of 3  
Data Sheet  
123

中文翻译

下载PDF

与CSB834Y相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CSB856 CDIL

获取价格

 		PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB856A CDIL

获取价格

 		PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB856B CDIL

获取价格

 		PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB856C CDIL

获取价格

 		PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR
CSB857 CDIL

获取价格

 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
CSB857 RECTRON

获取价格

 		TO-220 - Power Transistors and Darlingtons
CSB857B CDIL

获取价格

 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
CSB857C CDIL

获取价格

 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
CSB857D CDIL

获取价格

 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS
CSB858 CDIL

获取价格

 		PNP / NPN PLASTIC POWER TRANSISTORS

与CSB834Y相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证