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CSB856C

更新时间： 2024-09-21 03:26:59

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CDIL		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR

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CSB856C 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	SFM
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	10 MHz
Base Number Matches：	1

CSB856C 数据手册

Continental Device India Limited

An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company

PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR

CSB856

TO-220

Plastic Package

LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

DESCRIPTION

SYMBOL

VALUE

UNIT

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

Collector -Emitter Voltage

Collector -Base Voltage

Emitter Base Voltage

4.0

3.0

Collector Current Continuous

Power Dissipation @ Tc=25 º C

Operating & Storage Junction

Temperature Range

P_D

T_j, T_stg

-65 to +150

º C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tc=25 º C unless specified)

DESCRIPTION

SYMBOL TEST CONDITION

MIN

MAX

UNIT

I_CBO

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_E=0;V_CB=20V

µA

Collector cutoff current

Collector-Emitter Voltage

Collector Base Voltage

Emitter Base Voltage

DC Current Gain

100

I_C=50mA, I_B=0

I_C=5mA, I_E=0

I_E=5mA, I_C=0

_FE**

h_FE

V_CE(SAT)

V_BE(on)

f_T

I_C=1A, V_CE=4V

I_C=0.1A, V_CE=4V

I_C=2A, I_B=200mA

I_C=1A, V_CE=4V

I_C=0.5A, V_CE=4V

200

Collector Emitter Saturation Voltage

1.2

1.5

Transition frequency

35 typ

MHz

*Pulse Test PW=300ms, Duty Cycle=2%

** hFE classification :

A 35-70

B 60-120

C 100-200

Continental Device India Limited

Data Sheet

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