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CS65-70PTIN/LEAD

更新时间： 2024-01-21 22:01:21

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CENTRAL		可控硅
页数	文件大小	规格书
2页	80K
描述
Silicon Controlled Rectifier,

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CS65-70PTIN/LEAD 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
JESD-609代码：	e0	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
端子面层：	TIN LEAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

CS65-70PTIN/LEAD 数据手册

DATA SHEET

CS65-70B

CS65-70D

CS65-70M

CS65-70N

CS65-70P

CS65-70PB

SILICON CONTROLLED RECTIFIER

70 AMPS RMS, 200 THRU 1200 VOLTS

TO-65 CASE

DESCRIPTION

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CS65-70B series types are High Power Silicon Controlled Rectifiers designed for

phase control applications.

MAXIMUM RATINGS (T =25°C unless otherwise noted)

CS65 CS65 CS65 CS65

-70B -70D -70M -70N

CS65 CS65

SYMBOL

-70P -70PB UNITS

Peak Repetitive Off-State Voltage

Peak Non-Repetitive Reverse Voltage

, V

200

300

400

500

600

700

800 1000 1200

900 1100 1300

DRM RRM

RSM

T(RMS)

T(AV)

TSM

RMS On-State Current (T =102°C)

Average On-State Current (T =102°C)

Peak One Cycle Surge ( 60Hz)

1000

4100

I²t Value for Fusing (t=8.3ms)

I²t

A²s

Peak Forward Gate Voltage

FGM

RGM

Peak Reverse Gate Voltage

Peak Gate Power

Average Gate Power (tp=10µs)

Peak Gate Current

1.0

3.0

200

G(AV)

Critical Rate of Rise of On-State Current

di/dt

A/µs

Storage Temperature

-65 to +150

-65 to +125

0.35

°C

stg

Junction Temperature

Thermal Resistance

°C

°C/W

J-C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

, I

Rated V

, V

V =12V, R =33Ω

, T =125°C

6.0

100

200

3.0

V/µs

DRM RRM

I =500mA

V =12V, R =33Ω

=500A

3.0

dv/dt

V =.67 x V

, T =125°C

200

DRM

(SEE REVERSE SIDE)

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