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CS20S60CT-A-J

更新时间： 2025-09-02 18:52:35
品牌 Logo 应用领域
竹懋 - CITC /
页数 文件大小 规格书
3页 995K
描述
Product Category :   MOS Schottky Diodes ;Spec :   IF=20.0(A) , VRRM=60(V) , VF=0.51V@10A , IR=0.5mA@60V ;Package :   TO-220AB-J;Packing :   1000pcs/Box;Note :  ;

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CS20S60CT-A-J  
20A MOS Schottky Rectifiers  
Chip Integration Technology Corporation  
■Outline  
Main Product Characteristics  
IF(AV)  
VRWM  
TJ  
2 X 10A  
TO-220AB-J  
60V  
150OC  
0.46V  
0.185(4.70)  
0.175(4.44)  
0.161(4.10)  
0.410(10.41)  
0.390(9.91)  
VF(Typ)  
0.147(3.74)  
0.055(1.39)  
0.045(1.14)  
DIA  
0.114(2.90)  
0.102(2.60)  
0.283(7.20)  
0.244(6.20)  
■ Features  
• Low forward voltage drop.  
• Excellent high temperature stability.  
• Fast switching capability.  
• Lead free in compliance with EU RoHS.  
PIN  
1
2
3
1.161(29.50)  
1.106(28.10)  
0.159(4.05)  
0.138(3.50)  
0.114(2.90)  
0.098(2.50)  
0.560(14.22)  
0.516(13.10)  
0.053(1.34)  
0.047(1.20)  
■ Mechanical data  
0.037(0.94)  
0.027(0.68)  
• Epoxy : UL94V-0 rated flame retardant.  
• Case : JEDEC TO-220AB-J molded plastic body.  
• Terminals : Solder plated, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026.  
0.105(2.67)  
0.095(2.41)  
0.023(0.58)  
0.014(0.35)  
0.208(5.28)  
0.192(4.88)  
• Polarity: As marked.  
• Weight : Approximated 1.95 gram.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
PIN 1  
■ Circuit Diagram  
PIN 3  
PIN 2  
■ Maximum ratings and electrical characteristics  
Rating at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Parameter  
Conditions  
Symbol  
VRWM  
IO  
CS20S60CT-A-J  
UNIT  
Working peak reverse voltage  
Forward rectified current (total device)  
60  
20  
V
A
8.3ms single half sine-wave superimposed on  
rate load (JEDEC method)  
Forward surge current (per diode)  
IFSM  
280  
A
Peak repetitive reverse surge current  
(per diode)  
Pulse width 2us, 1000Hz, square wave at TA  
IRRM  
3
A
25 OC,10 cycles  
OC/W  
OC/W  
OC  
RθJC  
RθJA  
TSTG  
TJ  
Junction to case  
2
Typical Thermal resistance (per diode)  
Junction to Ambient  
50  
Storage temperature  
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
OC  
Operating Junction temperature  
Parameter  
Conditions  
IF = 3A, TJ = 25OC  
IF = 10A, TJ = 25OC  
IF = 10A, TJ = 125OC  
VR = 60V, TJ = 25OC  
VR = 60V, TJ = 125OC  
IR = 0.5mA, TJ = 25OC  
Symbol  
VF  
MIN.  
TYP.  
350  
470  
460  
0.06  
25  
MAX.  
510  
UNIT  
mV  
Forward voltage drop (per diode)  
0.5  
80  
IR  
Reverse current (per diode)  
mA  
V
Reverse Breakdown Voltage (per diode)  
VBR  
60  
Document ID : DS-11K260  
Revised Date : 2019/09/26  
Revision : C  
1
123

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