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CS18LV20483ZIR55

更新时间: 2024-02-09 22:22:07
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 757K
描述
High Speec Super Low Power SRAM

CS18LV20483ZIR55 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DICE
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.7
最长访问时间:55 nsJESD-30 代码:X-XUUC-N
内存密度:2097152 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
字数:262144 words字数代码:256000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:256KX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装代码:DIE
封装形状:UNSPECIFIED封装形式:UNCASED CHIP
并行/串行:PARALLEL最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

CS18LV20483ZIR55 数据手册

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High Speed Super Low Power SRAM  
CS18LV20483  
256K-Word By 8 Bit  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Initial issue  
Issue Date  
Jan.26,2005  
Remark  
1.0  
1
Rev. 1.0  
Chiplus reserves the right to change product or specification without notice.  

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