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CS10N40A3R

更新时间： 2024-04-09 19:03:13

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CS10N40A3R 数据手册

CS10N40 A3R

○

1.15

1.05

0.95

0.85

0.75

1.15

1.1

1.05

0.95

0.9

VGS=0V

ID=250μA

VGS=0V

ID=250μA

0.85

0.8

0.75

0.7

0.65

-55 -30

-5

120 145 170

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

Tj, Junction temperature , C

Figure 11 Typical Breakdown Voltage vs Junction Temperature

Figure 10 Typical Theshold Voltage vs Junction Temperature

VDS=320V

ID=10A

V_GS=0V , f=1MHz

Ciss=Cgs+Cgd

Coss=Cds+Cgd

Crss=Cgd

Qg , Total Gate Charge , nC

Figure 13 Typical Gate Charge vs Gate to Source Voltage

Figure 12 Typical Capacitance vs Drain to Source Voltage

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO., LTD. Page 6 of 10

2020V01

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