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CRSM020N04L2

更新时间: 2024-04-09 18:58:48
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华润微 - CRMICRO 光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 433K
描述
PDFN5×6

CRSM020N04L2 数据手册

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CRSM020N04L2  
华润微电子(重庆)有限公司  
SkyMOS2ꢀNꢁMOSFETꢀ40V,ꢀ1.4mꢂ,ꢀ80A  
Features  
Product Summary  
VDS  
40V  
•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS2ꢀtechnology  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀRDS(on)  
•ꢀExcellentꢀQgxRDS(on)ꢀproduct(FOM)  
•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria  
RDS(on)@10Vꢀtyp  
RDS(on)@4.5Vꢀtyp  
ID  
1.4mꢂ  
1.75mꢂ  
80A  
Applications  
•ꢀSynchronousꢀRectificationꢀforꢀAC/DCꢀQuickꢀCharger  
•ꢀBatteryꢀmanagement  
100% Avalanche Tested  
•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)  
CRSM020N04L2  
Package Marking and Ordering Information  
Partꢀ#  
Marking  
Package  
DFN5X6  
ReelꢀSize TapeꢀWidth  
Qty  
Packing  
CRSM020N04L2  
SM020N04L2  
Tape&Reel  
N/A  
N/A  
5000pcs  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
VDS  
Drainꢁsourceꢀvoltage  
40  
V
Continuousꢀdrainꢀcurrent  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(siliconꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)  
TCꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)  
177  
80  
ID  
A
109  
Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀtpꢀlimitedꢀbyꢀTjmax  
)
IDꢀpulse  
EAS  
320  
210  
A
mJ  
V
Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(L=0.5mH,ꢀRg=25)[1]  
GateꢁSourceꢀvoltage  
VGS  
±20  
Powerꢀdissipationꢀ(TCꢀ=ꢀ25°Cꢀ)  
Ptot  
79.1  
W
°C  
Tjꢀ,ꢀT stg  
Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature  
ꢁ55...+150  
.ꢀNotes:1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=ꢀ29A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.  
©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited  
Page 1  

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