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CRSM055N10L4Z

更新时间： 2024-04-09 19:01:09

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华润微 - CRMICRO		光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	500K
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CRSM055N10L4Z 数据手册

CRSM055N10L4Z

华润微电子(重庆)有限公司

SkyMOS4ꢀNꢁMOSFETꢀ100V,ꢀ4.8mꢂ,ꢀ60A

Features

Product Summary

V_DS

100V

4.8mꢂ

60A

•ꢀUsesꢀCRM(CQ)ꢀadvancedꢀSkyMOS3ꢀtechnology

•ꢀExtremelyꢀlowꢀonꢁresistanceꢀR_DS(on)

•ꢀExcellentꢀQ_gxR_DS(on)ꢀproduct(FOM)

•ꢀQualifiedꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀcriteria

R_DS(on).typ

I_Dꢀ

100% DVDS Tested

100% Avalanche Tested

Applications

ꢀ•ꢀMotorꢀcontrolꢀandꢀdrive

ꢀ•ꢀBatteryꢀmanagementꢀSystem

ꢀ•ꢀUPSꢀ(UninterrupibleꢀPowerꢀSupplies)

CRSM055N10L4Z

Package Marking and Ordering Information

Partꢀ#

Marking

Package

DFNꢀ5X6

Packing

ReelꢀSize TapeꢀWidth

Qty

CRSM055N10L4Z

055N10L4Z

Tape&Reel

N/A

4000pcs

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

V_DS

Drainꢁsourceꢀvoltage

100

Continuousꢀdrainꢀcurrent

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ25°Cꢀ(Packageꢀlimit)

T_Cꢀ=ꢀ100°Cꢀ(Siliconꢀlimit)

90ꢀ

60ꢀ

I_D

57ꢀ

Pulsedꢀdrainꢀcurrentꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_jmax

)

I_Dꢀpulse

E_AS

240ꢀ

Avalancheꢀenergy,ꢀsingleꢀpulseꢀ(I

ꢀ=ꢀ29A,ꢀRg=25Ω)^[1]

214ꢀ

V_GS

GateꢁSourceꢀvoltage

±20

Powerꢀdissipationꢀ(T_Cꢀ=ꢀ25°C)

P_tot

71ꢀ

°C

T_jꢀ,ꢀT _stg

Operatingꢀjunctionꢀandꢀstorageꢀtemperature

ꢁ55...+150

※.ꢀNotes:

1.EASꢀisꢀtestedꢀatꢀstartingꢀTjꢀ=ꢀ25℃,ꢀLꢀ=ꢀ0.5mH,ꢀIASꢀ=29A,ꢀVGSꢀ=ꢀ10V.ꢀ

2.Repetitiveꢀrating,ꢀpulseꢀwidthꢀlimitedꢀbyꢀjunctionꢀtemperatureꢀTJ(MAX)=150°C.ꢀRatingsꢀareꢀbasedꢀonꢀlowꢀ

frequencyꢀandꢀdutyꢀcyclesꢀtoꢀkeepꢀinitialꢀTJꢀ=25°C.

Rev 1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

Page 1

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