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CRRT20L60A

更新时间： 2024-03-03 10:11:43

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CRRT20L60A 数据手册

CRRT20L60A

60V Trench MOS Barrier Schottky VF 0.61V@10A, 25℃

Thermal Characteristics(at Tj=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value(typ）

Unit

R_JA

R_JC

53.70

2.29

Typical thermal resistance

°C/W

Electrical Characteristic (at Tj = 25 °C, unless otherwise note, per diode)

Value

Symbol

Parameter

Unit

Test Condition

min.

typ.

max.

0.51

IF=5A

T_A=25℃

0.61

0.45

IF=10A

V_F⁽¹⁾

Forward Voltage Drop

IF=5A

T_A=125℃

0.59

IF=10A

T_A=25℃

(2)

Reverse leakage current

I_R

VR=60V

T_A=125℃

C_j

V_R=5V_DC,25℃(1MHz)

Junction capacitance

440

Notes

(1) Pulse test: 300us pulse width,2% duty cycle

(2) Pulse test: 300us pulse width,2% duty cycle

Rev 1.0

©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited

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