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CRH01(TE85L)

更新时间： 2024-11-21 15:43:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 151K
描述
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, S-FLAT-2, Signal Diode

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CRH01(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：S-FLAT-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.68
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.98 V
JESD-30 代码：R-PDSO-F2最大非重复峰值正向电流：15 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CRH01(TE85L) 数据手册

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CRH01  
TOSHIBA High Efficiency Rectifier Silicon Epitaxial Type  
CRH01  
Switching Mode Power Supply Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
•
Repetitive peak reverse voltage: V  
= 200 V  
RRM  
Average forward current: I  
= 1.0 A  
F (AV)  
Low forward voltage: V  
= 0.98 V (Max.)  
FM  
Very Fast Reverse-Recovery Time: t = 35 ns (Max.)  
rr  
Suitable for compact assembly due to small surface-mount package  
“S−FLATTM” (Toshiba package name)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Repetitive peak reverse voltage  
Average forward current  
V
200  
1.0  
V
A
RRM  
I
F(AV)  
Peak one cycle surge forward current  
(non-repetitive)  
I
15 (50 Hz)  
A
FSM  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Junction temperature  
T
−40~150  
−40~150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
TOSHIBA  
3-2A1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.013 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
= 0.1 A  
= 0.7 A  
= 1.0 A  
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
0.71  
0.86  
0.90  
⎯
⎯
⎯
FM (1)  
FM (2)  
FM (3)  
FM  
FM  
FM  
Peak forward voltage  
0.98  
10  
Repetitive peak reverse current  
Reverse recovery time  
I
V
= 200 V  
RRM  
μA  
ns  
ns  
RRM  
t
I
I
= 1 A, di/dt = −30 A/μs  
= 1 A  
⎯
35  
rr  
F
F
Forward recovery time  
t
fr  
⎯
100  
Device mounted on a ceramic board  
(soldering land: 2 mm × 2 mm)  
⎯
⎯
⎯
65  
Thermal resistance  
R
°C/W  
th (j-a)  
Device mounted on a glass-epoxy board  
(soldering land: 6 mm × 6 mm)  
⎯
130  
Start of commercial production  
1999-07  
2013-11-01  
1
1234

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CRH01(TE85L) 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CRH01(TE85L,Q,M) TOSHIBA

功能相似

 DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, S-FLAT, 3-2A1A, 2 PIN, Signal Diode
CMMR1-02TR CENTRAL

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, SOD-123F, 2 PIN
CRH01 TOSHIBA

功能相似

 HIGH EFFICIENCY RECTIFIER (SWITCHING TYPE POWER SUPPLY APPLICATIONS)

与CRH01(TE85L)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CRH01(TE85L,Q) TOSHIBA

获取价格

 		RECTIFIER DIODE,200V V(RRM),DO-215VAR
CRH01(TE85L,Q,M) TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, S-FLAT, 3-2A1A, 2 PIN, Signal Diode
CRH01(TE85LQ) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode
CRH01(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, S-FLAT-2, Signal Diode
CRH01_06 TOSHIBA

获取价格

 		Switching Mode Power Supply Applications
CRH01-107F1B AAC

获取价格

 		CRH - Thick Film Chip Resistors High Resistance
CRH01-107F1M AAC

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 		CRH - Thick Film Chip Resistors High Resistance
CRH01-107F2B AAC

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