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CRG40T60AN3H

更新时间： 2024-11-19 17:01:47

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描述
TO-3P(N)

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CRG40T60AN3H 数据手册

绝缘栅双极型晶体管

CRG40T60AN3H

概述

特征参数

V_CES

CRG40T60AN3H 采用先进的沟槽 FS IGBT 技术，具有良好的导

600

通和开关特性，易并联使用的特点。

I_C

符合 RoHS 指令要求。

P_tot（T_C=25℃） 280

V_CE(sat)1.9

特点

封装：TO-3P（N）

● 沟槽 FS 技术，正温度系数；

● 低通态压降：V_CE(sat),TYP=1.9V @I_C=40A,V_GE=15V ；

用途

内部等效原理图

● 逆变电焊机

● 中高开关频率变频器

封装信息

产品名

封装形式

打印印章

G40T60AN3H

包装形式

料条

CRG40T60AN3H

TO-3PN

极限值（除非另有规定，T_J= 25℃）

符号

参数名称

最高集电极-发射极直流电压

最高栅极-发射极直流电压

额定值

单位

V_CES

600

±20

V_GES

集电极直流电流

集电极脉冲电流

二极管直流正向电流

二极管脉冲正向电流

耗散功率

@T_C=25℃

I_C

@T_C=100℃

@T_C=25℃

@T_C=100℃

@T_C=25℃

I_CM

120

I_F

I_FM

P_D

280

110

@T_C=25℃

耗散功率

@T_C=100℃

无锡华润华晶微电子有限公司

2021V02

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