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CP82C86H-5 PDF预览

CP82C86H-5

更新时间： 2024-02-16 21:02:42
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 总线收发器
页数 文件大小 规格书
8页 112K
描述
CMOS Octal Bus Transceiver

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CP82C86H-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：DIP, DIP20,.3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.8其他特性：GATED INPUTS ELIMINATE THE NEED FOR PULL-UP RESISTORS
控制类型：COMMON CONTROL计数方向：BIDIRECTIONAL
系列：CMOSJESD-30 代码：R-PDIP-T20
JESD-609代码：e0负载电容（CL）：300 pF
逻辑集成电路类型：BUS TRANSCEIVER最大I（ol）：0.02 A
位数：8功能数量：1
端口数量：2端子数量：20
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP20,.3封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE电源：5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup：65 ns传播延迟（tpd）：35 ns
认证状态：Not Qualified子类别：Bus Driver/Transceivers
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
翻译：N/ABase Number Matches：1

CP82C86H-5 数据手册

 浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CP82C86H-5的Datasheet PDF文件第7页 
82C86H  
Absolute Maximum Ratings  
Thermal Information  
o
o
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .+8.0V Thermal Resistance (Typical)  
θJA ( C/W) θJC ( C/W)  
Input, Output or I/O Voltage . . . . . . . . . . . .GND -0.5V to V +0.5V  
ESD Classification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Class 1  
CC  
CERDIP Package . . . . . . . . . . . . . . . .  
CLCC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
PDIP Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
PLCC Package . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
Maximum Storage Temperature Range . . . . . . . . .-65 C to +150 C  
Maximum Junction Temperature Hermetic Package. . . . . . . +175 C  
Maximum Junction Temperature Plastic Package. . . . . . . . . +150 C  
Maximum Lead Temperature (Soldering 10s) . . . . . . . . . . . . +300 C  
(PLCC - Lead Tips Only)  
70  
80  
75  
75  
16  
20  
N/A  
N/A  
Operating Conditions  
o
o
Operating Voltage Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +4.5V to +5.5V  
Operating Temperature Range  
o
o
o
o
C82C86H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .0 C to +70 C  
o
o
o
I82C86H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 C to +85 C  
o
o
M82C86H . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -55 C to +125 C  
Die Characteristics  
Gate Count . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 265 Gates  
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation  
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
o
o
DC Electrical Specifications V = 5.0V ± 10%; T = 0 C to +70 C (C82C86H);  
CC  
A
o
o
T = -40 C to +85 C (I82C86H);  
T = -55 C to +125 C (M82C86H)  
A
o
o
A
SYMBOL  
PARAMETER  
Logical One  
MIN  
2.0  
2.2  
-
MAX  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
C82C86H, I82C86H  
M82C86H (Note 1)  
V
-
V
V
V
IH  
Input Voltage  
V
Logical Zero Input Voltage  
Logical One Output Voltage  
B Outputs  
0.8  
IL  
V
OH  
3.0  
3.0  
V
V
V
I
I
I
= -8mA  
= -4mA  
= -100µA  
OH  
OH  
OH  
A Outputs  
A or B Outputs  
V
-0.4  
CC  
V
Logical Zero Output Voltage  
B Outputs  
OL  
0.45  
0.45  
10.0  
10.0  
V
V
I
I
= 20mA  
= 12mA  
OL  
A Outputs  
OL  
I
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
-10.0  
-10.0  
µA  
µA  
V
= GND or V DIP Pins 9, 11  
IN CC  
I
IO  
VO = GND or V , OE ≥ V -0.5V  
CC CC  
DIP Pins 1 - 8, 12 - 19  
ICCSB  
ICCOP  
Standby Power Supply  
Current  
-
-
10  
1
µA  
V
= V or GND, V = 5.5V, Outputs Open  
IN  
CC  
CC  
o
Operating Power Supply  
Current  
mA/MHz  
T = +25 C, Typical (See Note 2)  
A
NOTES:  
1. V is measured by applying a pulse of magnitude = V  
to one data input at a time and checking the corresponding device output for  
IH(MIN)  
IH  
a valid logical “1” during valid input high time. Control pins (T, OE) are tested separately with all device data input pins at V -0.4  
CC  
2. Typical ICCOP = 1mA/MHz of read/ cycle time. (Example: 1.0µs read/write cycle time = 1mA).  
o
Capacitance T = +25 C  
A
SYMBOL  
PARAMETER  
Input Capacitance  
TYPICAL  
UNITS  
TEST CONDITIONS  
CIN  
B Inputs  
A Inputs  
18  
14  
pF  
pF  
Freq = 1MHz, all measurements are  
referenced to device GND  
4-320  
12345678

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