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CMT2301M233

更新时间： 2024-11-16 06:48:15

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虹冠电子 - CHAMP		/
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7页	245K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

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CMT2301M233 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.69	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.5 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

CMT2301M233 数据手册

CMT2301

P-C^HANNELENHANCEMENT MODE MOSFET

GENERAL DESCRIPTION

FEATURES

The CMT2301 is the P-Channel logic enhancement mode

power field effect transistors are produced using high cell

density, DMOS trench technology.

-20V/-2.3A ,R_DS(ON)=130 mΩ@VGS=-4.5V

-20V/-1.9A ,R_DS(ON)=190 mΩ@VGS=-2.5V

Super high density cell design for extremely low R_DS(ON)

Exceptional on-resistance and maximum DC current

capability

This high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance.

These devices are particularly suited for low voltage

application such as cellular phone and notebook computer

power management and other battery powered circuits, and

low in-line power loss are needed in a very small outline

surface mount package.

SOT-23-3 package design

APPLICATIONS

Power Management in Notebook

Portable Equipment

Battery Powered System

DC/DC Converter

Load Switch

DSC

LCD Display inverter

PIN CONFIGURATION

SYMBOL

SOT-23-3

Top View

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

SOT-23-3

CMT2301M233

CMT2301GM233*

*Note: G : Suffix for Pb Free Product

2006/10/11 Rev1.2

Champion Microelectronic Corporation

Page 1

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