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CMSD2005SLEADFREE

更新时间： 2024-02-16 08:38:37

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CENTRAL		二极管开关高压
页数	文件大小	规格书
2页	115K
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Rectifier Diode, 2 Element, 0.225A, 350V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

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CMSD2005SLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
Is Samacsys：	N	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.87 V	最大非重复峰值正向电流：	4 A
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.225 A
最大重复峰值反向电压：	350 V	最大反向恢复时间：	0.05 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

CMSD2005SLEADFREE 数据手册

CMSD2005S

Central

Semiconductor Corp.

SURFACE MOUNT

DUAL, IN SERIES

DESCRIPTION:

HIGH VOLTAGE

The CENTRAL SEMICONDUCTOR

SILICON SWITCHING DIODES

CMSD2005S contains two (2) High Voltage

Silicon Switching Diodes, manufactured by the

epitaxial planar process, epoxy molded in a

SOT-323 surface mount package, designed for

applications requiring high voltage capability.

MARKING CODE: B5D

SOT-323 CASE

MAXIMUM RATINGS (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Continuous Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Voltage

Peak Repetitive Reverse Current

Continuous Forward Current

Peak Repetitive Forward Current

Forward Surge Current, tp= 1µs

Forward Surge Current, tp= 1s

Power Dissipation

300

350

200

225

625

4.0

RRM

FRM

FSM

1.0

275

Operating and Storage

Junction Temperature

T ,T

J stg

-65 to +150

455

°C

Thermal Resistance

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER DIODE: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

V =280V

MIN

TYP

MAX

100

UNITS

µA

V =280V, T =150°C

100

I =100µA

350

I =20mA

0.87

1.0

I =100mA

I =200mA

1.25

5.0

V =0, f=1.0 MHz

I =I =30mA, Rec. to 3.0mA, R =100Ω

R0 (17-August 2004)

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