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CMR1-10M PDF预览

CMR1-10M

更新时间： 2024-11-18 22:24:51
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CENTRAL /
页数 文件大小 规格书
2页 89K
描述
GENERAL PURPOSE RECTIFIER 1.0 AMP, 200 THRU 1,000 VOLTS

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CMR1-10M 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.13其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CMR1-10M 数据手册

 浏览型号CMR1-10M的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMR1-02M  
CMR1-04M  
CMR1-06M  
CMR1-10M  
Ce n t r a l  
S e m ic o n d u c t o r Co r p .  
NEW  
FEATURES:  
GENERAL PURPOSE RECTIFIER  
1.0 AMP, 200 THRU 1,000 VOLTS  
• SUPER MINIATURE CASE  
• SPECIAL SELECTIONS AVAILABLE  
• LOW COST  
• SUPERIOR LOT TO LOT CONSISTENCY  
• HIGH RELIABILITY  
• “C” BEND CONSTRUCTION PROVIDES  
STRAIN RELIEF WHEN MOUNTED ON PC  
BOARD  
TM  
SUPER  
SUPER  
mini  
SMA CASE  
• GLASS PASSIVATED CHIP  
DESCRIPTION:  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1.0 Amp Surface Mount Silicon Rectifier is a high quality, well  
constructed,highlyreliablecomponentdesignedforuseinalltypesofcommercial,industrial,entertainment,  
computer, and automotive applications where small size is required. The SMA case occupies 30% less  
board space than the SMB case. To order devices on 12mm Tape and Reel (5000/13" Reel), add TR13  
suffix to part number.  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL CMR1-02M CMR1-04M CMR1-06M CMR1-10M UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage V  
200  
200  
140  
400  
400  
280  
600  
600  
420  
1000  
1000  
700  
V
V
V
A
A
RRM  
R
DC Blocking Voltage  
RMS Reverse Voltage  
V
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =100°C) I  
1.0  
30  
L
O
Peak Forward Surge Current (8.3ms) I  
FSM  
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
30  
°C  
°C/W  
Θ
JL  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
MAX  
1.1  
5.0  
50  
UNITS  
V
I =1.0A  
V
µA  
µA  
pF  
F
F
I
V =Rated V  
R
R
RRM  
RRM  
I
V =Rated V  
, T =125°C  
R
R
A
C
V =4.0V, f=1.0MHz  
8.0  
J
R
220  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMR1-10MBK CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, SMA, SUPERMINI-2
CMR1-10MBKLEADFREE CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, SMA, SUPERMINI-2
CMR1-10MBKTIN/LEAD CENTRAL

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM),
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM),
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CMR-120632-2-SP CUI

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