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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> CMMSH1-20GBKLEADFREE
CMMSH1-20GBKLEADFREE PDF预览

CMMSH1-20GBKLEADFREE

更新时间： 2024-11-28 12:59:19
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页数 文件大小 规格书
2页 278K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 20V V(RRM),

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CMMSH1-20GBKLEADFREE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 V最大非重复峰值正向电流：30 A
元件数量：1最高工作温度：125 °C
最大输出电流：1 A最大重复峰值反向电压：20 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

CMMSH1-20GBKLEADFREE 数据手册

 浏览型号CMMSH1-20GBKLEADFREE的Datasheet PDF文件第2页 
CMMSH1-20 CMMSH1-20G*  
CMMSH1-40 CMMSH1-40G*  
CMMSH1-60 CMMSH1-60G*  
CMMSH1-100 CMMSH1-100G*  
www.centralsemi.com  
DESCRIPTION:  
SURFACE MOUNT SILICON  
SCHOTTKY RECTIFIER  
1 AMP, 20 THRU 100 VOLTS  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMMSH1 Series  
are high current Schottky rectifiers in the SOD-123F  
surface mount package. These devices are suitable for  
design applications such as AC/DC, DC/DC converters,  
and reverse battery protection circuits in a variety of  
portable and battery powered products.  
Halogen Free Devices:  
MARKING CODES:  
DEVICE  
DEVICE  
CODE  
CODE  
CMMSH1-20G  
CMMSH1-40G  
CMMSH1-60G  
CMMSH1-100G  
CS20G  
CS40G  
CS60G  
CS100G  
CMMSH1-20  
CMMSH1-40  
CMMSH1-60  
CMMSH1-100  
CS20F  
CS40F  
CS60F  
CS100F  
SOD-123F CASE  
Device is Halogen Free by design  
*
FEATURES:  
• Small size (58% smaller than the SMA package)  
• High Current, Low Forward Voltage  
• 67% lower profile than SMA  
• Thermally efficient Flat Lead package design  
• Greatly improved power dissipation per board  
area as compared to the SMA  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)  
CMMSH1  
A
-20  
-20G  
-40  
-60  
-100  
-100G  
SYMBOL  
-40G  
-60G  
UNITS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
40  
40  
28  
60  
60  
42  
100  
100  
70  
V
V
RRM  
20  
20  
V
R
RMS Reverse Voltage  
V
14  
V
R(RMS)  
Average Forward Current (T =75°C)  
I
1.0  
30  
A
L
O
Peak Forward Surge Current (8.3ms)  
Power Dissipation (Note 1)  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
A
FSM  
P
1.14  
W
D
T
-65 to +125  
-65 to +150  
°C  
°C  
°C/W  
J
T
stg  
Thermal Resistance  
Θ
JA  
88  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MAX  
UNITS  
I
I
V =Rated V  
0.50  
10  
mA  
mA  
V
R
R
R
RRM  
RRM  
V =Rated V  
T =100°C  
A
R
,
V
V
V
V
I =1.0A (CMMSH1-20, -20G)  
0.45  
0.55  
0.70  
0.85  
F
F
F
F
F
I =1.0A (CMMSH1-40, -40G)  
V
F
I =1.0A (CMMSH1-60, -60G)  
V
F
I =1.0A (CMMSH1-100, -100G)  
V
F
2
Notes: (1) FR-4 Epoxy PC Board with Copper Mounting Pad Area of 2.9mm  
R5 (25-January 2010)  
12

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