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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMKT5089M10
CMKT5089M10 PDF预览

CMKT5089M10

更新时间： 2024-09-24 21:53:59
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 126K
描述
SURFACE MOUNT ULTRAmini DUAL NPN SILICON MATCHED hFE TRANSISTORS

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CMKT5089M10 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：6Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.34其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A基于收集器的最大容量：4 pF
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：400JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：0.35 W最大功率耗散 (Abs)：0.35 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzVCEsat-Max：0.5 V

CMKT5089M10 数据手册

 浏览型号CMKT5089M10的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMKT5089M10  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
TM  
ULTRAmini  
DUAL NPN SILICON  
DESCRIPTION:  
MATCHED h  
TRANSISTORS  
FE  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMKT5089M10 consists of two (2) individual,  
isolated 5089 NPN silicon transistors with  
TM  
matched h . This ULTRAmini device is  
FE  
manufactured by the epitaxial planar process and  
epoxy molded in an SOT-363 surface mount  
package. The CMKT5089M10 has been designed  
for applications requiring high gain and low noise.  
MARKING CODE: C9M0  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
4.5  
50  
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CBO  
EBO  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
I
I
V
V
=15V  
nA  
nA  
V
CB  
=4.5V  
100  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
30  
25  
4.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =100µA  
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
1200  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
=5.0V, I =1.0mA  
C
400  
450  
400  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
FE  
=5.0V, I =10mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
h
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
10  
1800  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
2.0  
dB  
MATCHING CHARACTERISTICS:  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
1.0  
5.0  
UNITS  
h
/h  
*
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
0.9  
FE1 FE2  
CE  
C
|V  
-V  
|
=5.0V, I =100µA  
mV  
BEON1 BEON2  
CE  
C
* The lowest h  
reading is taken as h  
FE1.  
FE  
R2 (7-August 2003)  
12

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CMKT5089M10 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CMKT5089M10LEADFREE CENTRAL

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