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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> CMKT5089M10PBFREE
CMKT5089M10PBFREE PDF预览

CMKT5089M10PBFREE

更新时间： 2024-09-25 13:02:19
品牌 Logo 应用领域
CENTRAL 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 126K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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CMKT5089M10PBFREE 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.78Is Samacsys：N
JESD-609代码：e3峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

CMKT5089M10PBFREE 数据手册

 浏览型号CMKT5089M10PBFREE的Datasheet PDF文件第2页 
TM  
CMKT5089M10  
Central  
Semiconductor Corp.  
SURFACE MOUNT  
TM  
ULTRAmini  
DUAL NPN SILICON  
DESCRIPTION:  
MATCHED h  
TRANSISTORS  
FE  
The CENTRAL SEMICONDUCTOR  
CMKT5089M10 consists of two (2) individual,  
isolated 5089 NPN silicon transistors with  
TM  
matched h . This ULTRAmini device is  
FE  
manufactured by the epitaxial planar process and  
epoxy molded in an SOT-363 surface mount  
package. The CMKT5089M10 has been designed  
for applications requiring high gain and low noise.  
MARKING CODE: C9M0  
SOT-363 CASE  
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)  
A
SYMBOL  
UNITS  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
V
30  
25  
CBO  
CEO  
EBO  
V
4.5  
50  
V
mA  
mW  
I
C
Power Dissipation  
P
350  
D
Operating and Storage  
Junction Temperature  
Thermal Resistance  
T ,T  
J stg  
-65 to +150  
357  
°C  
°C/W  
Θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
CBO  
EBO  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
50  
UNITS  
I
I
V
V
=15V  
nA  
nA  
V
CB  
=4.5V  
100  
EB  
BV  
BV  
BV  
I =100µA  
30  
25  
4.5  
CBO  
CEO  
EBO  
C
I =1.0mA  
V
C
I =100µA  
V
E
V
V
I =10mA, I =1.0mA  
0.5  
0.8  
1200  
V
CE(SAT)  
BE(SAT)  
FE  
C
B
I =10mA, I =1.0mA  
V
C
B
h
h
h
V
=5.0V, I =0.1mA  
=5.0V, I =1.0mA  
C
400  
450  
400  
50  
CE  
CE  
CE  
CE  
CB  
BE  
CE  
CE  
C
V
V
V
V
V
V
V
FE  
=5.0V, I =10mA  
FE  
C
f
=5.0V, I =500µA, f=20MHz  
MHz  
pF  
pF  
T
C
C
C
h
=5.0V, I =0, f=1.0MHz  
4.0  
10  
1800  
ob  
ib  
E
=0.5V, I =0, f=1.0MHz  
C
=5.0V, I =1.0mA, f=1.0kHz  
450  
fe  
C
NF  
=5.0V, I =100µA, R =10kΩ  
C S  
f=10Hz to 15.7kHz  
2.0  
dB  
MATCHING CHARACTERISTICS:  
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
MAX  
1.0  
5.0  
UNITS  
h
/h  
*
V
V
=5.0V, I =1.0mA  
0.9  
FE1 FE2  
CE  
C
|V  
-V  
|
=5.0V, I =100µA  
mV  
BEON1 BEON2  
CE  
C
* The lowest h  
reading is taken as h  
FE1.  
FE  
R2 (7-August 2003)  
12

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与CMKT5089M10PBFREE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CMKT5089M10TIN/LEAD CENTRAL

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 		Small Signal Bipolar Transistor,
CMKT5089M10TR CENTRAL

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, PLASTI
CMKT5089M10TRLEADFREE CENTRAL

获取价格

 		暂无描述
CMKT5089M10TRPBFREE CENTRAL

获取价格

 		Transistor,
CMKTC825A CENTRAL

获取价格

 		SURFACE MOUNT ULTRAmini TEMPERATURE COMPENSATED SILICON ZENER DIODE
CMKTC825A_10 CENTRAL

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CMKTC825ABK CENTRAL

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