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CMDP-65656L-55

更新时间: 2024-02-06 19:45:41
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其他 - ETC 静态存储器
页数 文件大小 规格书
9页 413K
描述
x8 SRAM

CMDP-65656L-55 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最长访问时间:55 ns
JESD-30 代码:S-CQFP-F28内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:SQUARE封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
最小待机电流:2 V最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:FLAT
端子位置:QUADBase Number Matches:1

CMDP-65656L-55 数据手册

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