CMBZ5237B

更新时间： 2024-01-13 02:38:18

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描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

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CMBZ5237B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	8 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	265
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	8.2 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	20 mA	Base Number Matches：	1

CMBZ5237B 数据手册

IS / IECQC 700000

IS / IECQC 750100

IS/ISO 9002

Lic# QSC/L- 000019.2

Continental Device India Limited

An IS/ISO 9002 and IECQ Certified Manufacturer

SOT-23 Formed SMD Package

CMBZ52XX series

SILICON PLANAR ZENER DIODES

General purpose zener diodes

PACKAGE OUTLINE DETAILS

ALL DIMENSIONS IN mm

Pin configuration

1 = ANODE

2 = NC

3 = CATHODE

Marking

CMBZ5230B = 8E

31B = 8F

CMBZ5239B = 8P

40B= 8Q

41B= 8R

CMBZ5248B = 8Y

49B = 8Z

50B = 81A

51B = 81B

52B = 81C

53B = 81D

54B = 81E

55B = 81F

56B = 81G

CMBZ5257B= 81H

32B = 8G

33B = 8H

34B = 8J

35B = 8K

36B = 8L

37B = 8M

38B = 8N

42B= 8S

43B= 8T

44B= 8U

45B= 8V

46B= 8W

47B= 8X

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Working voltage range

nom. 4.7 to 33 V

Working voltage tolerance

±5 %

Total power dissipation up to T

Junction temperature

= 25 °C

max.

300 mW

150 ° C

amb

tot

Continental Device India Limited

Data Sheet

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