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CM18N20F

更新时间： 2024-04-09 18:58:55
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晶导 - JINGDAO /
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TO-220F

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CM18N20F 数据手册

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R
CM18N20F  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
POWER MOSFET  
4.2 电参数 Electrical Characteristics (TC = 25℃)  
参 数 名 称  
Parameter  
符 号  
测 试 条 件  
最小 典型  
最大  
单位  
Symbol  
Tests conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
截止特性 Off –Characteristics  
漏源击穿电压  
BVDSS VGS=0V，ID=250μA  
200  
V
Drain-Source Voltage  
漏源击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage  
Temperature Coefficient  
△
BVDSS  
△TJ  
ID = 250µA  
/
0.24  
V/℃  
VDS=200V, VGS=0 , 25℃  
VDS=160V,VGS=0 , 125℃  
1
漏源漏电流 Zero Gate Voltage  
Drain Current  
IDSS  
IGSS  
μA  
nA  
100  
栅源漏电流  
VGS= ± 30V  
±100  
Gate-body leakage current  
导通特性 On-Characteristics  
静态导通电阻  
*
Static Drain-Source  
On-Resistance  
RDSON  
VGS=10V，ID=9A  
0.17  
0.20  
4
Ω
阈值电压  
VGS  
VDS=VGS，ID=250μA  
2
V
（
）
TH  
Gate Threshold Voltage  
跨导  
Forward Transconductance  
gfs  
VDS=15V, ID=9A  
8.5  
S
脉冲宽度 tp≤380µs,占空比 δ≤2%  
动态特性 Dynamic Characteristics  
输入电容  
Ciss  
1280  
105  
Input capacitance  
输出电容  
VGS=0V，VDS=25V  
Coss  
Crss  
pF  
Output capacitance  
反向传输电容  
f=1.0MH  
126  
Reverse transfer capacitance  
开关特性 Switching Characteristics  
开启延迟(时间)  
td(ON)  
19  
33  
Turn-On delay time  
上升时间  
Turn-On rise time  
关断延迟(时间)  
Turn-Off delay time  
下降时间  
Turn-Off Fall time  
栅极电荷  
Total Gate Charge  
栅源电荷  
ID =18A  
tr  
td(OFF)  
tf  
VDD = 100V  
VGS = 10V  
RG = 10Ω  
nS  
nC  
35  
8
Qg  
28.2  
9.9  
7.9  
ID=18A,VDD=160V  
VGS = 10V  
Qgs  
Qgd  
Gate-Source charge  
栅漏电荷  
Gate-Drain charge  
地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层  
电话：0755-29799516  
传真：0755-29799515  
第 2 页 V04 版  
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