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CM18N50P

更新时间： 2024-04-09 19:03:09
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晶导 - JINGDAO /
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TO-3PB

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R
CM18N50P  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
POWER MOSFET  
1、主要参数 Main Characteristics  
2、用途 Applications  
VDSS  
ID  
500  
18  
V
A
W
Ω
高频开关电源 High frequency switching mode  
power supply  
PD  
240  
0.28  
RDSONTYP  
电子镇流器 Electronic ballast  
UPS 电源 Uninterruptible Power Supply  
PFC 功率因数校正 Power Factor Correction  
大功率开关电源 High power switching power supply  
电焊机控制 Control of electric welding machine  
3、产品特性 Features  
1
低栅极电荷 Low gate charge  
2
3
低 Crss (典型值 16pF) Low Crss (typical 16pF )  
开关速度快 Fast switching speed  
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested  
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability  
RoHS 产品 RoHS product  
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)  
4．电特性 Electrical Characteristics  
4.1极限值 Absolute Ratings (TC = 25℃)  
参 数 名 称 Parameter  
漏极-源极电压  
符号 Symbol  
VDSS  
ID  
额定值 Value  
单位 Unit  
500  
V
A
Drain-Source Voltage  
TC = 25 °C  
18  
连续漏极电流  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流（注 1）  
Drain Current - pulse（note 1）  
栅源电压  
TC = 100 °C 12.5  
IDM  
64  
A
VGS  
±30  
V
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量（注 2）  
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）  
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）  
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）  
耗散功率  
EAS  
900  
3.5  
mJ  
V/ns  
W
dv/dt  
PD  
240  
Power Dissipation  
结温，贮存温度  
Tj，Tstg  
150，-55～150  
℃
Operating and Storage Temperature Range  
地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层 电话：0755-29799516  
传真：0755-29799515  
第 1 页 V04 版  
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