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CM11N50F???

更新时间： 2024-11-19 15:19:15
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晶导 - JINGDAO /
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TO-220F

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CM11N50F??? 数据手册

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R
CM11N50F  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
POWER MOSFET  
1、主要参数 Main Characteristics  
2、用途 Applications  
VDSS  
ID  
500  
11  
V
A
W
Ω
高频开关电源 High frequency switching mode  
power supply  
PD  
50  
RDSONTYP  
0.51  
电子镇流器 Electronic ballast  
UPS 电源 Uninterruptible Power Supply  
PFC 功率因数校正 Power Factor Correction  
大功率开关电源 High power switching power supply  
电焊机控制 Control of electric welding machine  
TO-220F  
3、产品特性 Features  
低栅极电荷 Low gate charge  
1
2
3
低 Crss (典型值 17pF) Low Crss (typical 17pF )  
开关速度快 Fast switching speed  
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)  
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested  
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability  
RoHS 产品 RoHS product  
4．电特性 Electrical Characteristics  
4.1极限值 Absolute Ratings (TC = 25℃)  
参 数 名 称 Parameter  
漏极-源极电压  
符号 Symbol  
VDSS  
ID  
额定值 Value  
单位 Unit  
500  
V
A
Drain-Source Voltage  
TC = 25 °C  
11  
连续漏极电流  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流（注 1）  
Drain Current - pulse（note 1）  
栅源电压  
TC = 100 °C  
9
IDM  
44  
±30  
600  
4.0  
80  
A
VGS  
EAS  
V
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量（注 2）  
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）  
雪崩电流（注 1）  
mJ  
A
IAR  
Avalanche Current（note 1）  
重复雪崩能量（注 1）  
EAR  
mJ  
V/ns  
W
℃
Repetitive Avalanche Energy （note 1）  
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）  
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）  
耗散功率  
dv/dt  
PD  
5.0  
50  
Power Dissipation  
结温，贮存温度  
Tj，Tstg  
150，-55～150  
Operating and Storage Temperature Range  
地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层  
电话：0755-29799516  
传真：0755-29799515  
第 1 页 V04 版  
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