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CM10N65BF

更新时间： 2024-03-03 10:09:27
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晶导 - JINGDAO /
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TO-220F

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R
CM10N65BF  
深圳市晶导电子有限公司  
ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd.  
www.jdsemi.cn  
POWER MOSFET  
1、主要参数 Main Characteristics  
2、用途 Applications  
VDSS  
ID  
650  
10  
V
A
高频开关电源 High frequency switching mode  
power supply  
PD  
55  
W
Ω
RDSONTYP  
0.80  
电子镇流器 Electronic ballast  
UPS 电源 Uninterruptible Power Supply  
PFC 功率因数校正 Power Factor Correction  
大功率开关电源 High power switching power supply  
电焊机控制 Control of electric welding machine  
TO-220F  
3、产品特性 Features  
低栅极电荷 Low gate charge  
1
2
3
低 Crss (典型值 16pF) Low Crss (typical 16pF )  
开关速度快 Fast switching speed  
1 栅极(G) 2 漏极 (D) 3 源极(S)  
产品全部经过雪崩测试 100% avalanche tested  
高抗 dv/dt 能力 Improved dv/dt capability  
RoHS 产品 RoHS product  
4．电特性 Electrical Characteristics  
4.1极限值 Absolute Ratings (TC = 25℃)  
参 数 名 称 Parameter  
漏极-源极电压  
符号 Symbol  
VDSS  
ID  
额定值 Value  
单位 Unit  
650  
V
A
Drain-Source Voltage  
TC = 25 °C  
10  
8.2  
连续漏极电流  
Drain Current -continuous  
最大脉冲漏极电流（注 1）  
Drain Current - pulse（note 1）  
栅源电压  
TC = 100 °C  
IDM  
40  
±30  
700  
3.7  
70  
A
VGS  
EAS  
V
Gate-Source Voltage  
单脉冲雪崩能量（注 2）  
Single Pulsed Avalanche Energy（note 2）  
雪崩电流（注 1）  
mJ  
A
IAR  
Avalanche Current（note 1）  
重复雪崩能量（注 1）  
EAR  
mJ  
V/ns  
W
℃
Repetitive Avalanche Energy （note 1）  
二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3）  
Peak Diode Recovery dv/dt（note 3）  
耗散功率  
dv/dt  
PD  
5.0  
55  
Power Dissipation  
结温，贮存温度  
Tj，Tstg  
150，-55～150  
Operating and Storage Temperature Range  
地址：深圳市宝安区石岩街道洲石路中集创谷产业园 B 栋 1-3 层  
电话：0755-29799516  
传真：0755-2979951  
第 1 页 V04 版  
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