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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.39 |
| 外壳连接： | SOURCE | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 11 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.42 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.42 A | FET 技术： | METAL SEMICONDUCTOR |
| 最高频带： | X BAND | JESD-30 代码： | R-CDFM-F2 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 3.38 W |
| 最小功率增益 (Gp)： | 18 dB | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | GALLIUM ARSENIDE |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| CLX27-05H | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
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| CLX27-10 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
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| CLX27-10H | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| CLX27-10S | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, X Band, Gallium Arsenide, N-Channel, M |
|
| CLX30 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
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| CLX30-00 | INFINEON |
获取价格 |
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET |
|
| CLX30-00ES | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| CLX30-00H | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| CLX30-00P | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
|
| CLX30-00S | INFINEON |
获取价格 |
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, |
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