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Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CLX30-05P
CLX30-05P PDF预览

CLX30-05P

更新时间： 2024-11-19 13:06:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 596K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN

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CLX30-05P 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.23
Is Samacsys：N外壳连接：SOURCE
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：11 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.84 A最大漏极电流 (ID)：0.84 A
FET 技术：METAL SEMICONDUCTOR最高频带：KU BAND
JESD-30 代码：R-CDFM-F2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：DEPLETION MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：5.4 W最小功率增益 (Gp)：17 dB
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：1

CLX30-05P 数据手册

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CLX30  
HiRel X-Band GaAs Power-MESFET  
• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor  
• For professional power amplifiers  
• For frequencies from 500 MHz to 12.5 GHz  
• Hermetically sealed microwave power package  
• Low thermal resistance for  
high voltage application  
• Power added efficiency > 54 %  
•
Space Qualification Expected 1998  
ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/007,  
Type Variant No.s 01 to 03  
ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!  
Type  
Marking Ordering Code  
Pin Configuration Package  
1
2
3
CLX30-00 (ql)  
CLX30-05 (ql)  
CLX30-10 (ql)  
-
see below  
G
S
D
MWP-25  
CLX30-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)  
(ql) Quality Level:  
P: Professional Quality,  
H: High Rel Quality,  
S: Space Quality,  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Ordering Code:  
Q62702L115  
on request  
on request  
ES: ESA Space Quality,  
Q62702L114  
(see order instructions for ordering example)  
S e miconductor Group  
1 of 10  
Dra ft D, S e pte mbe r 99  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CLX30-05S INFINEON

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