Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> CLX30-05P

CLX30-05P

更新时间： 2024-02-11 16:01:38

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		/
页数	文件大小	规格书
9页	596K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Metal Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, MWP-25, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

CLX30-05P 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.23
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	11 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.84 A	最大漏极电流 (ID)：	0.84 A
FET 技术：	METAL SEMICONDUCTOR	最高频带：	KU BAND
JESD-30 代码：	R-CDFM-F2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	5.4 W	最小功率增益 (Gp)：	17 dB
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	GALLIUM ARSENIDE
Base Number Matches：	1

CLX30-05P 数据手册

CLX30

HiRel X-Band GaAs Power-MESFET

• HiRel Dis crete and Microwave Semiconductor

• For professional power amplifiers

• For frequencies from 500 MHz to 12.5 GHz

• Hermetically sealed microwave power package

• Low thermal resistance for

high voltage application

• Power added efficiency > 54 %

•

Space Qualification Expected 1998

ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/007,

Type Variant No.s 01 to 03

ESD: Electros tatic discharge sensitive device, observe handling precautions!

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration Package

CLX30-00 (ql)

CLX30-05 (ql)

CLX30-10 (ql)

see below

MWP-25

CLX30-nn: specifies output power level (see electrical characteristics)

(ql) Quality Level:

P: Professional Quality,

H: High Rel Quality,

S: Space Quality,

Ordering Code:

Q62702L115

on request

ES: ESA Space Quality,

Q62702L114

(see order instructions for ordering example)

S e miconductor Group

1 of 10

Dra ft D, S e pte mbe r 99

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与CLX30-05P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
CLX30-05S	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX30-10	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX30-10ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX30-10H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX30-10P	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX30-10S	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX32	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX32-00	INFINEON	获取价格	HiRel X-Band GaAs Power-MESFET
CLX32-00ES	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,
CLX32-00H	INFINEON	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, KU Band, Gallium Arsenide, N-Channel,

与CLX30-05P相关文章

BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
2024-07-04

17
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
2024-07-04

16
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2024-07-04

14
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
2024-07-04

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLX30-05P

CLX30-05P 技术参数

CLX30-05P 数据手册

与CLX30-05P相关器件

与CLX30-05P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

CLX30-05P

CLX30-05P 技术参数

CLX30-05P 数据手册

与CLX30-05P相关器件

与CLX30-05P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？