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CJ2101-G

更新时间： 2024-11-28 01:25:55

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MOSFET

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CJ2101-G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

CJ2101-G 数据手册

MOSFET

Comchip

S M D D i o d e S p e c i a l i s t

CJ2101-G

RoHS Device

SOT-323

V(BR)DSS

RDS(on)MAX

100mΩ @ -4.5V

140mΩ @ -2.5V

210mΩ @ -1.8V

0.087(2.20)

0.079(2.00)

-20V

-1.4A

0.053(1.35)

0.045(1.15)

0.055(1.40)

0.047(1.20)

0.006(0.15)

0.003(0.08)

Features

- P-Channel MOSFET

0.043(1.10)

0.035(0.90)

0.096(2.45)

0.085(2.15)

- Leading trench technology for low RDS(on)

extending battery life

0.004(0.10)

0.000(0.00)

0.016(0.40)

0.008(0.20)

0.017(0.425)REF.

Mechanical data

Dimensions in inches and (millimeter)

- Case: SOT-323, molded plastic.

Circuit diagram

- 1. GATE

- Terminals: Solderable per MIL-STD-750,

method 2026.

- Weight: 0.008 grams(approx.).

- 2. SOURCE

- 3. DRAIN

Maximum Ratings (at Ta=25 °C unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

Value

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Continuous drain current

VDS

VGS

-20

±8

-1.4

-3.0

0.29

431

150

Pulsed drain current (tp=10µs)

Power dissipation

IDM

°C/W

°C

Thermal resistance from junction to ambient

Junction temperature range

Storage temperature range

RΘJA

TSTG

-50 ~ +150

°C

Company reserves the right to improve product design , functions and reliability without notice.

REV:A

Page 1

QW-BTR37

Comchip Technology CO., LTD.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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CJ2102A	CJ	获取价格	SOT-323
CJ2204	CJ	获取价格	SOT-23
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