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CGT110-18

更新时间： 2024-11-18 01:09:11

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捷捷微 - JJM		/
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CGT110-18 数据手册

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江苏捷捷微电子股份有限公司

SDM02Z##

CGT110

○ 概述：

CGT110 是双面台面中心门极结构反向阻断高压晶闸管芯片；

主要工艺技术：台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。

○ 产品主要用途：

无功补偿，固态继电器，电力模块等。

○产品极限参数（封装成模块后，除非另有规定，T_CASE=25℃）

数值

-18

参数名称

结温范围

测试条件

符号

单位

-16

-20

Tj

-40-125

1800

1800

110

℃

V

断态重复峰值电压

反向重复峰值电压

通态平均电流

通态浪涌电流

I²t 值

Tj=25℃

V_DRM

V_RRM

1600

1600

2000

2000

Tj=25℃

V

T_C=80℃

I_T

（

A

）

AV

tp=10mS

tp=10mS

V_D=2/3V_DRM

tp=200uS

I_G=0.3A

I_TSM

I²t

2500

31250

A

A²S

通态电流临界上升率

dI/dt

150

A/uS

dI_G/dt=0.3A/uS

Tj=125℃

○产品电特性（封装成模块后，除非另有规定，T_CASE=25℃）

特性

测试条件

符号

数值

单位

I_T=345A

tp=380uS

V_D=V_DRM

T_C=25℃

T_C=125℃

V_R=V_RRM

T_C=25℃

T_C=125℃

V_D=12V

R_L=30Ω

I_G=1.2 I_GT

I _T=1A

通态峰值电压

V_TM

≤1.8

V

断态峰值电流

I_DRM1

I_DRM2

≤100

≤20

uA

mA

反向峰值电流

门极触发电流

I_RRM1

I_RRM2

≤100

≤20

uA

mA

I_GT

20-120

mA

擎住电流

维持电流

I_L

≤300

≤250

mA

mA

I_H

电话：+86-513-83639777

- 1 / 2-

网址：http://www.jjwdz.com

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