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CGHV40030

更新时间： 2024-01-28 08:08:23

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科锐 - CREE		/
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描述
30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

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CGHV40030 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.82
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

CGHV40030 数据手册

CGHV40030

30 W, DC - 6 GHz, 50V, GaN HEMT

Cree’s CGHV40030 is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor

(HEMT) designed speciﬁcally for high efﬁciency, high gain and wide bandwidth capabilities.

The device can be deployed for L, S and C-Band ampliﬁer applications. The datasheet

speciﬁcations are based on a 0.96 - 1.4 GHz ampliﬁer. The CGHV40030 operates on a 50

volt rail circuit while housed in a 2-lead ﬂange or pill package.

Typical Performance 0.96 - 1.4 GHz (T_C= 25˚C) , 50 V

Parameter

0.96 GHz

1.1 GHz

1.25 GHz

1.4 GHz

Units

Gain @ P_SAT

15.6

15.8

16.6

15.8

Saturated Output Power

Drain Efﬁciency @ P_SAT

Note:

Measured CW in the CGHV40030-AMP application circuit.

Features

•

Up to 6 GHz Operation

30 W Typical Output Power

16 dB Gain at 1.2 GHz

Application circuit for 0.96 - 1.4 GHz

70% Efﬁciency at P_SAT

50 V Operation

Subject to change without notice.

www.cree.com/rf

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